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第168章 方向（第3页）

雷君：“没错，华为布会看的我是心惊胆战，感觉我们很快就要被华为干掉了。

华为本身在一些方面就要强于我们，之前他们的短板在芯片上，受限于阿美利肯的限制措施，导致他们的芯片只能和两年前的高通持平。

芯片实现突破之后，我们和华为的竞争会变得非常吃力，1nm的手机soc什么概念？领先我们五到十年的时间，这太夸张了。

我昨天一晚上都没睡着，实在是压力太大。

我想问问它替代硅的度有多快，以及在成本上表现如何？”

这是直指核心的问题，如果拓扑半金属的成本比硅还要更低的话，那硅基芯片哪怕在中低端也将彻底失去市场。

陈元光听完后思绪回到了三个月以前，那时候他们刚刚为找到合适的光源系统设计逻辑而高兴，面对量产依然有很多问题需要克服。

他记得很清楚，那一天他前脚和光甲航天的空间站设计团队们开完会，后脚梁孟松来找他，说有一个全新的思路：

“元光，我们为什么一定要把硅基芯片的工艺应用在拓扑半金属上？”

陈元光听完后疑惑道：“你的意思是？”

梁孟松激动道：“随着FeT的工艺逐渐接近极限后，产业界进行了大量探索，试图找到突破工艺极限的办法。

其中就包括新材料，用拓扑半金属替代硅成为芯片原材料只是众多办法中的一种，还有一种被认为有可能成为下一代芯片基础原材料的物质是2d材料。

和拓扑半金属一样，它也不能直接用硅基芯片的工艺，而和拓扑半金属完全停留在实验室不同，工业界在二维材料的物理特性上做出了大量探索。

它已经跨过实验室阶段开始做晶圆级探索了。

其中目前二维材料最主流的方法之一，cVd法就很适合我们用在拓扑半金属的二次处理上。

它本来就是为了解决二维材料敏感性，解决二维材料的良品率和稳定性所研究出来的方法。

通过取向控制来选择与晶格相匹配的合适衬底，进而生长出结晶度高、晶格结构完整、晶格取向可控的薄膜。

为了适应拓扑半金属，我们可以采用金属-化合物作为前驱体，在这个基材上实现均匀供应，通过薄膜和衬底之间的组合来调节最终得到的合适基底。”

陈元光听完后意识到这是一种解决方案，之前大家推进缓慢很重要的原因是没有方向。

未来时空里的合成路线，不适用于现在，像什么使用固态原子自旋操作平台构建拓扑半金属芯片，并实现芯片的量子传感。

在21世纪上半叶到哪里去找固态原子自选操作平台。

哪怕这在四百年以后已经是落后技术，芯片生产对于绝大部分人类来说已经展成不折不扣的黑箱，几乎完全依赖aI的自我运作。

这落后技术对21世纪初来说也是遥不可及。

梁孟松敏锐洞察到当前前沿技术中可以应用的点后，他们围绕拓扑半金属的推进度可以用一日千里来形容。

有了方向，具体的技术难点都很容易在未来时空找到理论基础。

他们用现有工艺改造后制造出第一块拓扑半金属芯片后，他和梁孟松都知道世界将就此改变。

（本章完）

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